[发明专利]用于在二元体系中形成接头的方法及其接头

摘要

本发明涉及一种形成将两个固态物体结合在一起的接头的方法以及通过该方法形成的接头，其中，接头通过一层二元体系形成，该二元体系一经热处理就形成横跨接头的结合层延伸的多孔、连贯且连续的单一固溶体相。

主权项

1.一种用于在第一固态物体的结合表面和第二固态物体的结合表面之间形成接头的方法，其中，所述方法包括：A）提供成分A和成分B的二元体系，其中，所述二元体系是：i)具有在如下范围内的总组分 C0 的能混溶二元体系：其中：Cliq是当所述二元体系处于温度T1 = (Tliq,A+Tliq,B)/2时，与单相固溶体共存的液相的组分，Cα 是当所述二元体系处于温度T1时，与所述液相共存的单相固溶体的组分，Tliq,A 是100%纯成分A的熔化温度，Tliq,B是100%纯成分B的熔化温度，以及fα是在温度T1处，存在于所述能混溶二元体系中的单相固溶体的比例，以及其中，fα是[0.26,1)的范围，ii)或者，在其固态区域中仅具有三个相区的亚共晶或者过共晶组分的部分能混溶二元体系，‑且如果所述部分能混溶二元体系的组分是亚共晶的，则其具有在如下范围内的总组分C₀：其中：Cliq是当所述二元体系处于温度T1 = (Tliq,A+Teut)/2时，与α相共存的液相的组分，Cα是当所述二元体系处于温度T1 = (Tliq,A+Teut)/2时，与所述液相共存的α相的组分，Tliq,A 是100%纯成分A的熔化温度，Teut是共晶二元体系的共晶温度，以及fα在[0.26,1)的范围内，‑或者如果所述部分能混溶二元体系的组分是过共晶的，则其具有在如下范围内的总组分C₀：其中：Cliq是当所述二元体系处于温度T1 = (Tliq,B+Teut)/2时，与β相共存的液相的组分，Cβ是当所述二元体系处于温度T1 = (Tliq,B + Teut)/2时，与所述液相共存的β相的组分，Tliq,B是100%纯成分B的熔化温度，Teut是所述共晶二元体系的共晶温度，以及fβ在[0.26,1)的范围内，B）通过使所述第二固态物体的结合表面面朝所述第一固态物体的结合表面，形成包括所述第一固态物体、所述二元体系和所述第二固态物体的夹层结构，其中，所述二元体系被插置在第一和第二物体两者的结合表面之间且接触所述结合表面，以及C）通过在上限为温度T1的温度处热处理所述夹层结构形成结合所述第一和第二物体的接头，所述热处理导致成分A和成分B的能混溶或者部分能混溶二元体系形成被插置在所述第一和第二物体两者的结合表面之间的A成分和B成分的单相固溶体的多孔、连贯且连续结构，以及分散在A成分和B成分的单相固溶体的所述多孔、连贯且连续结构中的A成分和B成分的第二相。