[发明专利]高介电性薄膜、其用途和制造方法有效
| 申请号： | 201780033235.2 | 申请日： | 2017-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN109196025B | 公开（公告）日： | 2021-11-12 |
| 发明（设计）人： | 福井弘;正富亨;津田武明 | 申请（专利权）人： | 陶氏东丽株式会社 |
| 主分类号： | C08J5/18 | 分类号： | C08J5/18;B32B27/00;H01B3/46 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 郭辉;陈哲锋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种含氟烷基的有机聚硅氧烷固化物的高介电性薄膜、其用途和制造方法，所述高介电性薄膜的特征在于，介电常数高，并且薄膜的宽度方向实质上平坦且均匀。一种含氟烷基的有机聚硅氧烷固化物的高介电性薄膜，其中，薄膜宽度方向上末端的厚度与中央的厚度之差为5.0％以内，薄膜中央的厚度在50μm～1000μm的范围内。这样的薄膜可以具有底漆层和平坦化层，可以通过压延工序获得，另外也可以通过在具有剥离层的隔板间的固化而获得。 | ||
| 搜索关键词： | 高介电性 薄膜 用途 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种含氟烷基的有机聚硅氧烷固化物的高介电性薄膜，其中，薄膜宽度方向上末端的厚度与中央的厚度之差为5.0％以内，薄膜中央的厚度在50μm～1000μm的范围内。
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