[发明专利]激光刻面的钝化及用于执行激光刻面的钝化的系统有效
| 申请号： | 201780024675.1 | 申请日： | 2017-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN109478765B8 | 公开（公告）日： | 2021-07-02 |
| 发明（设计）人： | 张强;H·安;H·G·特罗伊施 | 申请（专利权）人： | 通快光子学公司 |
| 主分类号： | H01S5/028 | 分类号： | H01S5/028 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 周家新 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 使多层波导结构的至少一个刻面钝化的方法，所述方法包括：在多腔式超高真空(UHV)系统的第一腔内清洁所述多层波导结构的第一刻面；使经清洁的多层波导结构从所述第一腔转移至多腔式超高真空系统的第二腔；在第二腔内于第一刻面上形成第一单晶钝化层；使多层波导结构从所述第二腔转移至多腔式超高真空系统的第三腔；并且在第三腔内于第一单晶钝化层上形成第一介电涂层；其中，所述方法在所述多腔式超高真空系统的超高真空环境中执行而没有使多层波导结构从超高真空环境移出。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 钝化 用于 执行 系统 | ||
【主权项】：
1.一种使多层波导结构的至少一个刻面钝化的方法，所述方法包括：在多腔式超高真空(UHV)系统的第一腔内清洁所述多层波导结构的第一刻面；使经清洁的多层波导结构从所述第一腔转移至多腔式超高真空系统的第二腔；在第二腔内于第一刻面上形成第一单晶钝化层；使多层波导结构从所述第二腔转移至多腔式超高真空系统的第三腔；并且在第三腔内于第一单晶钝化层上形成第一介电涂层；其中，所述方法在所述多腔式超高真空系统的超高真空环境中执行而没有使多层波导结构从超高真空环境移出。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于通快光子学公司，未经通快光子学公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201780024675.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：基于异质结构的集成光子装置、方法和应用
- 下一篇：VCSEL照明器封装
