[发明专利]荧光体、发光装置、照明装置和图像显示装置在审
申请号: | 201780020580.2 | 申请日: | 2017-03-28 |
公开(公告)号: | CN108884388A | 公开(公告)日: | 2018-11-23 |
发明(设计)人: | 稻田悠平;小室直之;堀部谦太郎 | 申请(专利权)人: | 三菱化学株式会社 |
主分类号: | C09K11/79 | 分类号: | C09K11/79;C09K11/08;H01L33/50 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 苗堃;金世煜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: |
本发明提供在长波长区域具有发光峰值、发光亮度高、温度维持率高的LYSN荧光体。本发明涉及一种荧光体,其特征在于,是包含四方晶的晶相的荧光体,该晶相含有M元素、La、A元素、Si、N,且满足特定的式子,并且晶格常数a为 |
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搜索关键词: | 荧光体 发光 图像显示装置 长波长区域 发光装置 晶格常数 温度维持 照明装置 | ||
【主权项】:
1.一种荧光体,其特征在于,包含四方晶的晶相,该晶相含有M元素、La、A元素、Si、N,且满足下述式[I]和[II],并且,晶格常数a为
0.10≤x/(w+x)≤0.50 [I]2.80≤w+x+z≤3.20 [II]其中,M元素表示选自激活元素中的1种以上的元素,A元素表示选自除La和激活元素以外的稀土元素中的1种以上的元素,另外,式[I]和[II]中,w表示将Si的摩尔比设为6时的La元素的含量,x表示将Si的摩尔比设为6时的A元素的含量,z表示将Si的摩尔比设为6时的M元素的含量。
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