[发明专利]含氮的相关电子材料设备的制造在审
| 申请号： | 201780011895.0 | 申请日： | 2017-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN108701762A | 公开（公告）日： | 2018-10-23 |
| 发明（设计）人： | 卡洛斯·阿尔韦托·巴斯·德·阿劳约;约兰塔·克林斯卡;金柏莉·盖伊·里德;卢西恩·斯弗恩 | 申请（专利权）人： | ARM有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;C23C16/18 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 林强 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 本技术总体涉及用于例如执行开关功能的相关电子材料的制造。在实施例中，气态形式的前体可以在腔室中使用以构建包括各种阻抗特性的相关电子材料的膜。 | ||
| 搜索关键词： | 电子材料 技术总体 开关功能 气态形式 阻抗特性 构建 前体 腔室 制造 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：在腔室中，使衬底暴露于包括过渡金属氧化物、过渡金属或其任何组合的一种或多种气体以及第一配体，所述一种或多种气体包括一定原子浓度的含氮配体，以便使得制造的相关电子材料中的氮原子浓度在0.1％和10.0％之间；使所述衬底暴露于气态氧化物，以形成所述相关电子材料的第一层膜；以及重复使所述衬底以足够的时间暴露于所述一种或多种气体和所述气态氧化物，以便形成所述相关电子材料膜的附加层，所述相关电子材料的膜表现出彼此基本上不相同的第一阻抗状态和第二阻抗状态。
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