[发明专利]相关电子材料器件的制造和操作

摘要

本公开的技术一般涉及用于例如执行开关功能的相关电子材料的制造。在实施例中，相关电子材料可以包括主要配体和取代配体，其可以允许相关电子材料中的电子捐献和回捐。电子捐献和回捐可以使相关电子材料表现出从高阻抗/绝缘状态到低阻抗导电状态的转变。

主权项

1.一种构建器件的方法，包括：在腔室中于基板上形成一层或多层相关电子材料(CEM)，所述一层或多层CEM由过渡金属和主要配体形成，所述一层或多层CEM在形成所述CEM的配位球中具有一定浓度的缺陷；以及将所述一层或多层CEM暴露于包含取代配体的分子掺杂剂以形成P型CEM，其中所述分子掺杂剂包括以下项中的一种或多种：O22‑(过氧化物)、I‑(碘离子)、Br‑(溴离子)、S2‑(硫)、SCN‑(硫氰酸根离子，[SCN]‑(中间具有碳的硫‑碳‑氮配体))、Cl‑(氯离子)、N3‑(叠氮化物)、F‑(氟离子)、NCO‑(氰酸酯)、OH‑(氢氧化物)、C2O42‑(草酸盐)、H2O(水)、NCS‑(异硫氰酸酯)、CH3CN(乙腈)、C5H5N(吡啶)、乙二胺(C2H4(NH2)2)、bipy(2,2'‑联吡啶)、C10H8N2(菲咯啉(1,10‑菲咯啉))、C12H8N2(菲咯啉)、NO2‑(亚硝酸盐)、P(C6H5)3(三苯基膦)、CN‑(氰化物离子)、和CxHyOz分子(其中x，y和z为整数并且至少x和y且z≥1)、CxHyNz分子(其中x，y和z为整数并且至少x或y或z≥1)、和NxOy分子(其中x和y是整数并且至少x或y≥1)，其中，所形成的CEM的一层或多层包含原子浓度约在0.1％至10.0％范围内的所述分子掺杂剂。