[实用新型]一种基于面发射激光二极管技术的Micro LD的装置有效
| 申请号： | 201721926354.4 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN207966459U | 公开（公告）日： | 2018-10-12 |
| 发明（设计）人： | 孙雷 | 申请（专利权）人： | 北京德瑞工贸有限公司 |
| 主分类号： | G09G3/32 | 分类号： | G09G3/32;G09F9/33;H01S5/42 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种基于面发射激光二极管技术的Micro LD的装置，Micro LD(中文名：微激光二极管矩阵)的装置，指的是在一个Micro LD的装置上集成高密度微小尺寸的LD阵列，并使每一个LD像素可定址、单独驱动点亮。通过计算机控制MOS集成电路(有源矩阵)，MOS集成电路能分别控制微小的LD阵列中的每一个面发射激光二极管开关和强弱，最终形成图像。Micro LD与Micro LED相比具有单位面积上更大的光强、更好的方向性与更好的相干性，在工业领域和显示领域有更广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 面发射激光二极管 本实用新型 二极管矩阵 计算机控制 单独驱动 工业领域 微激光 相干性 源矩阵 点亮 定址 光强 像素 强弱 图像 中文 应用 | ||
【主权项】：
1.一种基于面发射激光二极管技术的Micro LD的装置，包括：衬底(1)、MOS集成电路(2)、面发射激光二极管阵列(3)、外部控制系统(4)，通过外部控制系统(4)可独立寻址MOS集成电路(2)上的电极阵列(22)的每一个电极供电状态，进而通过控制电极阵列(22)中的每一个电极的供电独立控制每一个面发射激光二极管(31)发光与熄灭，通过可控的每个面发射激光二极管(31)发光与熄灭最终组成所需的特定激光图案。
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