[实用新型]一种CMOS LDO及改善其负载响应特性的系统有效
| 申请号： | 201721857319.1 | 申请日： | 2017-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN207833370U | 公开（公告）日： | 2018-09-07 |
| 发明（设计）人： | 张旭光;陈晓明 | 申请（专利权）人： | 上海新进半导体制造有限公司;上海新进芯微电子有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 罗满 |
| 地址： | 200241 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种CMOS LDO及改善其负载响应特性的系统，包括控制模块及附加尾电流生成模块；控制模块的输入端分别与CMOS LDO中的CMOS误差放大器的正相输入端及反相输入端连接，用于当正相输入端及反相输入端的差值不为零时，生成控制信号至附加尾电流生成模块；附加尾电流生成模块用于在接收到控制信号后，在输入对管的公共端生成附加的尾电流，以减小CMOS LDO的输出过冲，当控制信号消失后，附加的尾电流变为零。本实用新型通过增加动态的附加的尾电流实现了CMOS LDO低静态工作电流的同时降低输出过冲，降低了CMOS LDO的功耗，提高了CMOS LDO的安全性能。 | ||
| 搜索关键词： | 尾电流 生成模块 负载响应特性 本实用新型 正相输入端 控制模块 控制信号 输出过冲 生成控制信号 反相输入端 误差放大器 安全性能 反相输入 工作电流 输入对管 低静态 动态的 公共端 输入端 功耗 减小 零时 | ||
【主权项】：
1.一种改善CMOS LDO负载响应特性的系统，应用于CMOS LDO，其特征在于，该系统包括控制模块及附加尾电流生成模块；所述控制模块的输入端分别与所述CMOS LDO中的CMOS误差放大器的正相输入端及反相输入端连接，所述控制模块的输出端与所述附加尾电流生成模块的输入端连接，用于当所述正相输入端及所述反相输入端的差值不为零时，生成控制信号至所述附加尾电流生成模块；所述附加尾电流生成模块的输出端与所述CMOS误差放大器中输入对管的公共端连接，用于在接收到所述控制信号后，在所述输入对管的公共端生成附加的尾电流，以减小所述CMOS LDO的输出过冲，当所述控制信号消失后，所述附加的尾电流变为零。
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