[实用新型]一种无反馈集中供电式的开关电源有效
申请号: | 201721813183.4 | 申请日: | 2017-12-20 |
公开(公告)号: | CN207720032U | 公开(公告)日: | 2018-08-10 |
发明(设计)人: | 周浩洁;司呈恪;柳水莲;刘涛;于新叶;李志民;周其缙;张爱苓 | 申请(专利权)人: | 广州东方电科自动化有限公司 |
主分类号: | H02M5/458 | 分类号: | H02M5/458;H02M7/5387 |
代理公司: | 中山市高端专利代理事务所(特殊普通合伙) 44346 | 代理人: | 袁媛 |
地址: | 510000 广东省广州*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本方案采取一种无反馈集中供电式的开关电源,由主电源提供直流电源,直流电经过全桥逆变装置后变为高频交流方波,高频交流方波分到各个支路,经过每一条支路的变压器实现隔离,经过整流滤波供到各个支路。 | ||
搜索关键词: | 支路 集中供电 开关电源 无反馈 高频交流方波 全桥逆变装置 直流电 高频交流 整流滤波 直流电源 主电源 变压器 隔离 | ||
【主权项】:
1.一种无反馈集中供电式的开关电源,其特征在于:总电源(1)输出直流电,经过全桥斩波装置(2)变换为高频交流方波,高频交流方波分到各个支路的变压器(3),经过变压器(3)变压后再整流滤波可以实现最终需要的直流电源(4),其中全桥斩波装置由芯片sg3525为核心,芯片的11和14管脚输出占空比为45%相反的方波,经过非门后对方波取反,分别驱动上下桥芯片,上下桥芯片采用P沟道MOSFET和N沟道MOSFET,IRF9530NS为典型的P沟道MOSFET,SPP11N60C2为典型的N沟道MOSFET,直流经过全桥斩波装置变为高频交流方波信号。
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