[实用新型]用于高频电刀的半桥隔离驱动电路

摘要

一种用于高频电刀的半桥隔离驱动电路，包括隔离电源和驱动电路；其中，隔离电源包括六路反向缓冲器U1、调谐电阻R1和R2、调谐电容C5、旁路电容C6、隔直电容C7、MOS管Q1、隔离变压器T1、整流二极管D1、滤波电容C3和C1和稳压电源U2；驱动电路包括隔离驱动芯片U3、自举二极管D2、自举电容C8、电阻R5、限流电阻R4和R6、旁路电容C10、NMOS晶体管Q2和Q3；隔离电源部分用于产生驱动半桥电路晶体管所需的电压源，驱动电路部分是通过隔离驱动芯片及其外围电路，将两路驱动源信号转换为可以直接驱动不共地的半桥电路驱动信号。本实用新型安全性高、稳定性好，达到了简化结构、降低成本、提高功率放大器转换效率的效果。

主权项

1.一种用于高频电刀的半桥隔离驱动电路，其特征在于：所述半桥隔离驱动电路包括隔离电源和驱动电路两部分；其中，隔离电源包括：六路反向缓冲器U1、调谐电阻R1和R2、调谐电容C5、旁路电容C6、隔直电容C7、MOS管Q1、隔离变压器T1、整流二极管D1、滤波电容C3和C1和稳压电源U2；所述六路反向缓冲器U1的VCC正电源脚接直流电源VCC2，VSS负电源脚接地GND；所述稳压电源U2的输出脚OUT接隔离电源VCC3，输出脚COM接隔离地GNDB；驱动电路包括：隔离驱动芯片U3、自举二极管D2、自举电容C8、电阻R5、限流电阻R4和R6、旁路电容C10、NMOS晶体管Q2和Q3；所述自举二极管D2正端接隔离电源VCC3，负端接所述隔离驱动芯片U3的VDDA电源脚；所述自举电容C8正端接所述自举二极管D2负端，负端接所述隔离驱动芯片U3的GNDA输出脚；所述隔离驱动芯片U3的VDDB电源脚接隔离电源VCC3，输出脚GNDB接隔离地GNDB。