[实用新型]违章抓拍摄像系统大电流稳压电路模块

摘要

本实用新型提供一种违章抓拍摄像系统大电流稳压电路模块，包括电解电容C1、稳压二极管VZD1、稳压二极管VZD2、P沟道型MOSFET Q1、NPN型三极晶体管Q2、PNP型三极晶体管Q3、NPN型三极晶体管Q4、电压比较器芯片LM293 U1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7。本实用新型提供可以把摄像头及补光灯系统的供电电压稳定在23伏至24伏，同时稳定提供500mA至8A的工作电流，因此可以有效保障摄像头抓拍系统稳定工作拍出高质量图片，同时有效防止系统或供电电源被抓拍瞬间大电流损坏，从而大幅提升抓拍效果，及降低设备维护率。

主权项

1.违章抓拍摄像系统大电流稳压电路模块其特征在于：包括电解电容C1（2）、稳压二极管VZD1（14）、稳压二极管VZD2（15）、P沟道型MOSFET Q1（4）、NPN型三极晶体管Q2（9）、PNP型三极晶体管Q3（12）、NPN型三极晶体管Q4（13）、电压比较器芯片LM293 U1（10）、电阻R1（1）、电阻R2（3）、电阻R3（5）、电阻R4（11）、电阻R5（7）、电阻R6（6）、电阻R7（8）；所述三极晶体管Q2（9）基极接电压比较器芯片LM293 U1（10）引脚1；所述三极晶体管Q2（9）集电极接电容C1（2）下端、电阻R2 （3）下端、稳压二极管VZD2（15）上端、P沟道型MOSFETQ1（4）栅极，和三极晶体管Q3（12）集电极；所述三极晶体管Q2（9）发射极接电阻R1（1）下端和稳压二极管VZD1（14）上端；所述P沟道型MOSFET Q1（4）源极接电阻R1（1）上端、电容C1（2）上端、电阻R2（3）上端、三极晶体管Q3（12）发射极，和直流24V输入端；所述P沟道型MOSFET Q1（4）漏极接电阻R3（5）上端、电阻R5（7）左端，和电阻R6（6）左端；所述电压比较器芯片LM293 U1（10）引脚4接地，引脚8接+5V电压，引脚3接+5V电压，引脚2接电阻R3（5）下端和电阻R4（11）上端；所述三极晶体管Q3（12）基极接三极晶体管Q4（13）集电极；所述三极晶体管Q4（13）发射级接地；所述三极晶体管Q4（13）基级接电阻R6（6）右端和电阻R7（8）左端；所述电阻R5（7）右端接电阻R7（8）右端和抓拍摄像头及补光灯；所述电阻R4（11）下端接地；所述稳压二极管VZD1（14）下端接地；所述稳压二极管VZD2（15）下端接地；前级开关电源输出+24伏电压，经过电阻R2（3）和稳压二极管VZD2（15），能为P沟道型MOSFET Q1（4）栅极与源极提供了‑9伏的一个开启电压；所述+24伏电压经过电阻R1（1）限流，能给稳压二极管VZD1（14）提供24毫安的驱动电流，使得稳压二极管VZD1（14）能够稳压在2.7伏；所述电容C1（2）能够滤除MOSFET Q1（4）栅极与源极的高频杂波；所述电阻R3（5）、电阻R4（11）连接处用于采集电压采样信号，电压采样信号输入到电压比较器芯片LM293 U1（10）引脚2，电压比较器芯片LM293 U1（10）引脚3接+5伏的参考电压，其引脚8接+5伏供电电压，其引脚4接地；输出到摄像头和补光灯的电压大于22.3伏时，电压比较器芯片LM293 U1（10）引脚1能够输出低电平，造成三极晶体管Q2（9）截止，能够使MOSFET Q1（4）处于正常导通供电状态，为摄像头和补光灯提供稳定电压和恒定电流；输出到摄像头和补光灯的电压等于或小于22.3伏时，电压比较器芯片LM293 U1（10）引脚1能够输出高电平，造成三极晶体管Q2（9）导通，能够使MOSFET Q1（4）栅极与源极之间得到一个‑20伏强导通电压，能够让 MOSFET Q1（4）处于完全导通大电流供电状态，给摄像头和补光灯提供大电流的同时把电压稳定在+24伏；电阻R5（7）、电阻R6（6）、电阻R7（8）组成电流采样模块，电阻R6（6）和电阻R7（8）连接处的采样电压传输到三极晶体管Q4（13）基极；流过电阻R5（7）的电流大过14A能够使三极晶体管Q4（13）导通、三极晶体管Q3（12）导通，造成MOSFET Q1（4）栅极与源极电压降低到大约0.3伏，能够使MOSFET Q1（4）截止。