[实用新型]一种晶体生长装置有效

专利信息
申请号: 201721368577.3 申请日: 2017-10-23
公开(公告)号: CN207552491U 公开(公告)日: 2018-06-29
发明(设计)人: 李中波;唐华纯 申请(专利权)人: 上海御光新材料科技股份有限公司
主分类号: C30B11/00 分类号: C30B11/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 201807 上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 实用新型涉及到一种晶体生长装置,通过在生长装置中设置晶转电机,利用程序控制晶体熔液盛装管的正向与反向旋转,以使得其内晶体熔液均匀分布,经过旋转晶体生长成形快速,通过升降支持臂让晶体熔液盛装管在注满晶体熔液后按照规定速度下降,在晶体生长点进行结晶,进而实现在助熔剂辅助下生长高质量的晶体,本实用新型晶体生长装置,其结构简单,用于一系列易氧化、非一致熔融或分解温度低于熔点的化合物的晶体生长,具有广泛的应用价值。
搜索关键词: 熔液 晶体生长装置 本实用新型 晶体生长 盛装管 温度低于熔点 程序控制 生长装置 易氧化 支持臂 助熔剂 生长点 成形 熔融 正向 注满 升降 电机 分解 生长 应用
【主权项】:
1.一种晶体生长装置,其特征在于,包括:炉体,所述炉体包括位于上部的高温区、中部的中温区以及下部的低温区;位置于炉体内的坩埚;晶体熔液盛装管;设置在所述炉体下方的升降装置,以控制位于所述升降装置上的晶体熔液盛装管的升降,进而控制晶体熔液盛装管在所述高温区与所述低温区之间往复运动。
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