[实用新型]一种适用于GaN放大器的自动偏置电路有效

专利信息
申请号: 201720870232.1 申请日: 2017-07-17
公开(公告)号: CN206922722U 公开(公告)日: 2018-01-23
发明(设计)人: 兰家彬;腾勇 申请(专利权)人: 成都玖信科技有限公司
主分类号: H03F1/30 分类号: H03F1/30
代理公司: 北京康盛知识产权代理有限公司11331 代理人: 涂凤霞
地址: 610000 四川省成都市武侯*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 一种适用于GaN放大器的自动偏置电路,其包括主放大电路、主偏置电路和偏置矫正电路,主放大电路包括GaN晶体管,主偏置电路包括数字模拟转换器,偏置矫正电路包括电流检测器和开关单元,所述电流检测器设置有预设值,GaN晶体管的栅极与数字模拟转换器的输出端耦合,GaN的漏极与电流检测器的输入端耦合,开关单元的输出端与电流检测器的输入端耦合,开关单元用于实现GaN高电子迁移晶体管的电平设置和放大器工作关断。电流检测器和开关单元相配合,自动调整GaN晶体管的静态电流和电平,减少了放大器生产过程中的调试时间,提高生产效率,并且使静态电流在产品每次上电后都处于预设值,提高了产品的长期可靠性。
搜索关键词: 一种 适用于 gan 放大器 自动 偏置 电路
【主权项】:
一种适用于GaN放大器的自动偏置电路,其特征在于,所述自动偏置电路包括主放大电路、主偏置电路和偏置矫正电路,所述主放大电路包括GaN高电子迁移率晶体管,所述主偏置电路包括数字模拟转换器,所述偏置矫正电路包括电流检测器,所述电流检测器设置有预设值,所述GaN高电子迁移率晶体管的栅极与所述数字模拟转换器的输出端耦合,所述GaN高电子迁移率晶体管的漏极与所述电流检测器的输入端耦合;所述偏置矫正电路还包括开关单元,所述开关单元的输出端与所述电流检测器的输入端耦合,所述开关单元用于实现GaN高电子迁移率晶体管的电平设置和放大器工作关断。
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