[实用新型]NANDFlash数据保护电路有效

专利信息
申请号: 201720812670.2 申请日: 2017-07-06
公开(公告)号: CN207182913U 公开(公告)日: 2018-04-03
发明(设计)人: 郭坚湖 申请(专利权)人: 深圳市英蓓特科技有限公司
主分类号: G11C16/22 分类号: G11C16/22
代理公司: 深圳市瑞方达知识产权事务所(普通合伙)44314 代理人: 纪媛媛,帅茜
地址: 518000 广东省深圳市南山区桃源街*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型公开了一种NAND Flash数据保护电路,包括第一保护单元,接入数据信号并输出第一保护信号;第二保护单元,接入一电源启动信号并输出第二保护信号,且所述第二保护单元和所述第一保护单元构成逻辑与关系;上拉下拉单元,分别与所述第一保护单元和所述第二保护单元相连接,所述上拉下拉单元根据所述第一保护信号和所述第二保护信号向NAND Flash电路的写保护端口输出数据保护信号。本实用新型的NAND Flash数据保护电路中,在NAND Flash电路的写保护端口上,通过数字“与”的方式增加了一个电源启动信号,在数据信号和电源启动信号同时为高电平时,才向NAND Flash电路的写保护端口输出高电平,从而在系统没有达到稳定状态时,避免NAND Flash数据丢失和错误。
搜索关键词: nandflash 数据 保护 电路
【主权项】:
一种NAND Flash数据保护电路,其特征在于,包括第一保护单元(10),接入数据信号并输出第一保护信号;第二保护单元(20),接入一电源启动信号并输出第二保护信号,且所述第二保护单元(20)和所述第一保护单元(10)构成逻辑与关系;上拉下拉单元(30),分别与所述第一保护单元(10)和所述第二保护单元(20)相连接,所述上拉下拉单元(30)根据所述第一保护信号和所述第二保护信号向NAND Flash电路的写保护端口(50)输出数据保护信号。
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