[实用新型]一种场发射阴极和真空电子器件用电子源有效
| 申请号： | 201720530843.1 | 申请日： | 2017-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN206877963U | 公开（公告）日： | 2018-01-12 |
| 发明（设计）人： | 李兴辉;蔡军;冯进军 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十二研究所 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304;H01J9/02 |
| 代理公司： | 北京正理专利代理有限公司11257 | 代理人： | 张雪梅 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种场发射阴极和真空电子器件用电子源，该场发射阴极为无集成栅极尖锥阵列场发射阴极，包括导电基片和形成于基片上表面的场发射尖锥阵列；所述场发射阴极的发射材料为高熔点且低功函数的材料。本实用新型在基片上直接制备发射材料尖锥，仅依靠光刻、镀膜等微加工工艺，工艺简单、成本低，适用于任何适合蒸发镀膜的金属和非金属场发射材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发射 阴极 真空 电子器件 用电 | ||
【主权项】：
一种场发射阴极，其特征在于，该场发射阴极为无集成栅极尖锥阵列场发射阴极，包括导电基片和形成于基片上表面的场发射尖锥阵列；所述场发射阴极的发射材料为具有高熔点和低功函数的材料。
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