[实用新型]一种平面型电磁带隙结构

摘要

本实用新型实施例涉及电子器件技术领域，尤其涉及一种平面型电磁带隙结构，用以提供一种成本低，且抑制SSN时超宽带的电磁带隙结构。包括电源平面、地平面以及位于电源平面和地平面之间的绝缘介质；在电源平面的第一面设置有至少一个电磁带隙结构；所述电磁带隙结构用于抑制同步开关噪声；所述电磁带隙结构包括M×N个基本单元，所述基本单元为L‑bridge结构，M×N个基本单元中每相邻的两个基本单元之间采用L‑型桥连接；在所述M×N个基本单元中内嵌有Q个双互补开口环谐振器，Q个双互补开口环谐振器中的每个双互补开口环谐振器对应一个所述L‑bridge结构；所述Q个双互补开口环谐振器按照第一预设规则排列。

主权项

一种平面型电磁带隙结构，其特征在于，包括：电源平面、地平面以及位于所述电源平面和所述地平面之间的绝缘介质；在所述电源平面的第一面设置有至少一个电磁带隙结构，所述电源平面的第一面指所述电源平面未与所述绝缘介质相连的一面；所述电磁带隙结构用于抑制同步开关噪声；所述电磁带隙结构包括以M行×N列分布的M×N个基本单元，所述基本单元为L‑bridge结构，其中，M和N为大于或等于3的整数；所述M×N个基本单元中每相邻的两个基本单元之间采用L‑型桥连接；在所述M×N个基本单元中内嵌有Q个双互补开口环谐振器，所述双互补开口环谐振器用于在谐振频率附近形成一个传输禁带，对电源和地平面间的噪声进行抑制，其中，所述Q为大于或等于4且小于或等于M×N的整数；Q个双互补开口环谐振器中的每个双互补开口环谐振器对应一个所述L‑bridge结构；所述Q个双互补开口环谐振器按照第一预设规则排列。