[实用新型]互嵌结构的CVD金刚石膜片有效
| 申请号： | 201720082795.4 | 申请日： | 2017-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN206477031U | 公开（公告）日： | 2017-09-08 |
| 发明（设计）人： | 龚闯;吴剑波;朱长征;余斌 | 申请（专利权）人： | 上海征世科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C28/00 | 分类号： | C23C28/00;C23C16/27 |
| 代理公司： | 上海精晟知识产权代理有限公司31253 | 代理人： | 冯子玲 |
| 地址： | 201799 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供了一种互嵌结构的CVD金刚石膜片，包括基板；设置于所述基板上的金刚石膜；形成在所述金刚石膜上表面的第一阻隔层；形成在所述第一阻隔层上表面的抗应力层，且在所述抗应力层的上表面具有多个凹槽106；形成在所述抗应力层的上表面且填充所述凹槽的第二阻隔层；形成在所述第二阻隔层上表面的硬质合金层。该金刚石膜层的防脱落能力相较现有技术加强了一倍以上，可以满足更高的切割要求。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 cvd 金刚石 膜片 | ||
【主权项】：
一种互嵌结构的CVD金刚石膜片，其特征在于，包括：基板；设置于所述基板上的金刚石膜；形成在所述金刚石膜上表面的第一阻隔层；形成在所述第一阻隔层上表面的抗应力层，且在所述抗应力层的上表面具有多个凹槽；形成在所述抗应力层的上表面且填充所述凹槽的第二阻隔层；形成在所述第二阻隔层上表面的硬质合金层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海征世科技有限公司，未经上海征世科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201720082795.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
