[实用新型]表面等离子体多次干涉曝光的亚波长结构制备装置

摘要

本实用新型公开了表面等离子体多次干涉曝光的亚波长结构制备装置，该装置包括He‑Cd激光器，光电快门，扩束器，1/2波片，分束器，平面反射镜，棱镜，Al膜，光刻样品和光刻样品旋转控制系统。He‑Cd激光器发出的激光束经光电快门，扩束器、1/2波片和分束器后，由平面反射镜反射，经棱镜耦合，以表面等离子体的激发角辐照到Al膜上，激发Al膜和光刻胶界面的两束沿相反方向传播的表面等离子体波，两束表面等离子体波的干涉场曝光光刻胶。通过对光刻样品多次旋转曝光，可刻写制备出二维点阵、六边形、同心等间隔圆环等各种亚波长光学结构。本实用新型具有结构简单、成本低廉的优势，在亚波长光学结构制造领域具有广泛应用。

主权项

表面等离子体多次干涉曝光的亚波长结构制备装置，其特征在于，包括He‑Cd激光器(1)、光电快门(2)、短焦距透镜(3)、长焦距透镜(4)、1/2波片(5)、分束器(6)、平面反射镜A(7)、平面反射镜B(8)、棱镜(9)、Al膜(10)、光刻胶(11)、玻璃衬底(12)和光刻样品旋转控制系统(13)，其中，所述的He‑Cd激光器(1)为光源，发射波长325nm的垂直方向偏振的激光束，打开光电快门(2)时，激光束通过光电快门(2)后，先后经过短焦距透镜(3)、长焦距透镜(4)组成的扩束器后被扩束，经1/2波片(5)后变成水平方向偏振的TM偏振光，再被分束器(6)分为两束强度相同的相干光，且从两个方向射出，被平面反射镜A(7)、平面反射镜B(8)反射后，由棱镜(9)耦合辐照到Al膜(10)上，当入射角为表面等离子体的激发角θsp时，将激发Al膜(10)和光刻胶(11)界面的表面等离子体波，表面等离子体波的干涉场曝光光刻胶(11)，通过控制光刻样品旋转控制系统(13)实现对光刻样品不同方式的旋转，进而对光刻胶(11)进行不同方式的曝光，曝光后，通过显影、定影后续工艺处理，即可得到相应的亚波长结构。