[实用新型]基于BBO超快倍频的光子学器件有效

专利信息
申请号: 201720020025.7 申请日: 2017-01-09
公开(公告)号: CN206401709U 公开(公告)日: 2017-08-11
发明(设计)人: 张留洋;孙上傲 申请(专利权)人: 哈尔滨理工大学
主分类号: H01S3/109 分类号: H01S3/109;G02F1/35
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 150080 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要: 实用新型提供了一种基于BBO超快倍频的光子学器件,涉及非线性光倍频技术领域,具体涉及一种基于BBO超快倍频的光子学器件。本实用新型是为了解决在光倍频技术中,现有的BBO晶体由于色散产生的群速度失配,引起的脉冲展宽问题。本实用新型包括低温相偏硼酸钡晶体、高温相偏硼酸钡晶体。通过高温相偏硼酸钡晶体对倍频光群速度失配进行补偿,防止其脉冲展宽。
搜索关键词: 基于 bbo 倍频 光子 器件
【主权项】:
一种基于BBO超快倍频的光子学器件,应用于非线性光倍频,其特征在于:它包括低温相偏硼酸钡(b‑BaB2O4)晶体(1)、高温相偏硼酸钡(a‑BaB2O4)晶体(2),其中低温相偏硼酸钡(b‑BaB2O4)晶体与高温相偏硼酸钡(a‑BaB2O4)晶体交替排列且在没有色散影响的范围内不限定两种晶体的对数。
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