[发明专利]一种OLED结构尺寸优化设计方法及设备有效
申请号: | 201711482348.9 | 申请日: | 2017-12-29 |
公开(公告)号: | CN108287944B | 公开(公告)日: | 2020-11-24 |
发明(设计)人: | 谷洪刚;赵雪楠;刘世元;柯贤华 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | G06F30/398 | 分类号: | G06F30/398;H01L27/02 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 李智;曹葆青 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: |
本发明公开了一种OLED结构优化设计方法及设备,属于OLED领域。该方法包括如下步骤:步骤1:确定OLED工作波长λ,OLED各层材料的光学常数,OLED各层材料的厚度设计初值,OLED中各向异性材料的主轴方位角 |
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搜索关键词: | 一种 oled 结构 尺寸 优化 设计 方法 设备 | ||
【主权项】:
1.一种OLED结构优化设计方法,用于优化OLED的阴极、阴极修饰层、发光层、空穴传输层、空穴注入层、阳极以及基底中至少一个结构层的厚度,其特征在于,包括如下步骤:步骤1:确定OLED工作波长λ,OLED各层材料的光学常数,OLED各层材料的厚度设计初值,OLED中各向异性材料的主轴与实验室坐标系x轴、y轴和z轴三个方向的夹角
θ、ψ;步骤2:根据步骤1确定的各个参数建立OLED的多膜层堆叠光学模型,并调整阴极、阴极修饰层、发光层、空穴传输层、空穴注入层、阳极以及基底中待优化的结构层的厚度,进行仿真实验,获得OLED在不同结构厚度时的外耦合效率,从而确定外耦合效率最高的结构厚度。
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