[发明专利]一种高电源抑制比PTAT电流源有效

专利信息
申请号: 201711472091.9 申请日: 2017-12-29
公开(公告)号: CN107992142B 公开(公告)日: 2023-07-18
发明(设计)人: 王海时;毛焜;彭映杰;杨燕;王天宝;李英祥;杨春俊;刘丹 申请(专利权)人: 上海智浦欣微电子有限公司
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 代理人: 房云
地址: 201203 上海市浦东新区中国*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 公开了一种模拟集成电路领域的高电源抑制比基准电流源,该基准电流源具有启动电路、基准单元和反馈电路,包括控制端、电源端、基准提供端和接地端,其控制端接收控制信号VCON,其电源端耦接至外部电源VCC,其基准提供端提供一与绝对温度成正比的PTAT电流。该基准电流源具有很高的电源抑制比。
搜索关键词: 一种 电源 抑制 ptat 电流
【主权项】:
一种高电源抑制比PTAT电流源,包括:启动电路,具有第一控制端、第一偏置端、第二偏置端、电源输入端和电源提供端,其第一控制端接收控制信号,其电源输入端耦接至外部电源;PTAT电路,具有电源端、接地端、第一偏置端、第二偏置端和电流提供端,其电源端耦接至所述启动电路的电源提供端,其接地端耦接至地,其第一偏置端耦接至所述启动电路的第二偏置端、其第二偏置端提供偏置电压,其电流提供端提供一PTAT电流;反馈电路,具有电源输入端、接地端、偏置端、控制端和电源提供端,其电源输入端耦接至所述外部电源,其接地端耦接至地,其偏置端耦接至所述PTAT电路的第二偏置端,其控制端耦接至所述启动电路的第一偏置端,其电源提供端耦接至所述PTAT电路电源端,其中所述PTAT电路启动前,所述启动电路为所述PTAT电路供电;PTAT电路启动后,所述反馈电路控制所述启动电路停止为所述PTAT电路供电,所述反馈电路为所述PTAT电路供电。
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