[发明专利]一种NAND Flash控制方法、装置及SSD有效
申请号: | 201711465819.5 | 申请日: | 2017-12-28 |
公开(公告)号: | CN108198582B | 公开(公告)日: | 2021-11-12 |
发明(设计)人: | 殷涛;彭鹏;姜黎 | 申请(专利权)人: | 湖南国科微电子股份有限公司 |
主分类号: | G11C7/10 | 分类号: | G11C7/10 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人: | 逯长明;许伟群 |
地址: | 410100 湖南省长*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本申请实施例公开了一种NAND Flash控制方法、装置及SSD,包括:确定NAND Flash读写指令的初始命令模板表,所述命令模板表中的不同模板对应不同命令类型、初始地址和颗粒信息;根据获取到的指令信息中的初始地址参数调用所述命令模板表中对应的命令模板;将所述指令信息的关键信息配置到所述命令模板中,完成指令操作。命令模板表中配置了对应不同读写指令信息的命令模板,当获取到读或写的指令需要执行时,根据不同指令的初始地址参数匹配命令模板表中的对应命令模板,避免了执行不同的指令需要反复配置初始参数的问题,降低了CPU的占用率,提高了NAND Flash读写操作的效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 nand flash 控制 方法 装置 ssd | ||
【主权项】:
1.一种NAND Flash控制方法,其特征在于,所述包括:确定NAND Flash读写指令的初始命令模板表,所述命令模板表中的不同模板对应不同命令类型、初始地址和颗粒信息;根据获取到的指令信息中的初始地址参数调用所述命令模板表中对应的命令模板;将所述指令信息的关键信息配置到所述命令模板中,完成指令操作。
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