[发明专利]一种低功耗宽频带二倍频器电路在审
| 申请号： | 201711404326.0 | 申请日： | 2017-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN107896091A | 公开（公告）日： | 2018-04-10 |
| 发明（设计）人： | 周明珠;姜文杰;苏国东;梁永明;王涛;王博威;李璇 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | H03B19/14 | 分类号： | H03B19/14 |
| 代理公司： | 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙)33240 | 代理人： | 黄前泽 |
| 地址： | 310018 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种低功耗宽频带二倍频器电路。现有频率源频率比较低限制了其在射频通信系统中的应用，通过压控振荡器级联倍频器的方法实现高频频率源。本发明包括一个push‑push结构、一个输入巴伦、两个匹配网络；push‑push结构由两个HBT三极管构成，输入巴伦是通过将两层金属上下层耦合的方式来实现，两个匹配网络包括输入匹配网络和输出匹配网络。本发明实现了较宽的频率工作范围和低功耗的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功耗 宽频 倍频器 电路 | ||
【主权项】：
一种低功耗宽频带二倍频器电路，其特征在于包括一个push‑push结构、一个输入巴伦，两个匹配网络；第一HBT管(T1)和第二HBT管(T2)构成push‑push结构，其中第一HBT管(T1)的集电极与第二HBT管(T2)的集电极连接，作为输出端(Vout)；第一HBT管(T1)的射极和第二HBT管(T2)的射极相连，然后接地；第一HBT管(T1)的基极和巴伦(TR1)次级的同相输出端(B2P)相连，第二HBT管(T2)的基极和巴伦次级的反相输出端(B2N)相连；输入匹配电容(C1)一端和输入信号相连，另一端和巴伦初级的同相输入端(B1P)相连；巴伦初级的反向输入端(B1N)接地；输出匹配电容(C2)一端和push‑push结构的输出端(Vout)相连，另一端作为整个电路的输出端；第一匹配电感(L1)一端接第一HBT管(T1)的集电极，另一端与第二滤波电容(C4)一端连接后接偏置电压Vcc；第二匹配电感(L2)一端接第二HBT管(T2)的集电极，另一端与第四滤波电容(C6)一端连接后接偏置电压Vcc；第一偏置电阻(R1)一端接第一HBT管(T1)的基极，另一端与第一滤波电容(C3)一端连接后接偏置电压Vb；第二偏置电阻(R2)一端接第二HBT管(T2)的基极，另一端与第三滤波电容(C5)一端连接后接偏置电压Vb；第一滤波电容(C3)另一端、第二滤波电容(C4)另一端、第三滤波电容(C5)另一端、第四滤波电容(C6)另一端均接地。
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