[发明专利]一种半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件的制造方法，所述方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成钝化层，钝化层中形成有互连结构；对钝化层进行局部刻蚀至露出互连结构，以在钝化层中形成凹槽；采用灰化工艺去除部分局部刻蚀在凹槽底部和侧壁产生的聚合物，其中，向灰化工艺的反应室添加氢氟酸溶液和氧化性溶液的混合液；继续刻蚀凹槽底部的半导体衬底上剩余的钝化层，停止于半导体衬底表面；去除局部刻蚀以及继续刻蚀所产生的聚合物。采用本发明的方法，氧化性溶液可提高聚合物的氧化效果，提高聚合物的去除效率，避免剥离缺陷，进而改善半导体器件的性能；氢氟酸溶液可去除在互连结构表面形成的自然氧化层，从而控制其在灰化工艺中出现的损失。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成钝化层，所述钝化层中形成有互连结构；对所述钝化层进行局部刻蚀至露出所述互连结构，以在所述钝化层中形成凹槽，刻蚀后在所述凹槽底部的所述半导体衬底上保留有部分所述钝化层；采用灰化工艺去除部分所述局部刻蚀后在所述凹槽底部和侧壁产生的聚合物，其中，在所述灰化工艺中，向所述灰化工艺的反应室添加氢氟酸溶液和氧化性溶液的混合液；继续刻蚀所述凹槽底部的所述半导体衬底上剩余的所述钝化层，停止于所述半导体衬底表面，以完全去除所述凹槽底部剩余的所述钝化层；去除所述局部刻蚀以及继续刻蚀所产生的聚合物。