[发明专利]一种纳米晶多孔块体硅热电材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201711381581.8 | 申请日： | 2017-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN108063179B | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | 万春磊;潘伟;宗鹏安 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L35/18 | 分类号： | H01L35/18;H01L35/22;H01L35/34;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 张文宝 |
| 地址： | 100084 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种纳米晶多孔块体硅块体热电材料及其制备方法，属于热电材料技术领域。该材料结构式为BxSi或SbxSi(0.01≤x≤0.3)，其晶粒尺寸范围为5～200nm，孔径范围为10～100nm。本发明制备方法以硅藻土为原料，氯化钠为晶粒细化剂，镁为还原剂，650℃还原后，通过水洗、稀盐酸洗涤、氢氟酸洗涤，旋转蒸发真空干燥后得到多孔硅纳米晶粉末，通过添加硼和锑，经研磨后，得到混合热电粉料，再通过40MPa，1000℃放电等离子烧结后得到纳米晶多孔硅块体热电材料。本方法制备的硅热电材料同时具备纳米晶结构和多孔结构，具有比单晶硅低两个数量级的热导率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 多孔 块体 热电 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种纳米晶多孔块体硅热电材料，其特征在于，所述热电材料的化学结构式为BxSi或SbxSi，其中0.01≤x≤0.3，其晶粒尺寸范围为5～200nm，孔径范围为10～100nm。
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