[发明专利]一种环形单元曲面频率选择表面阵列的制作方法有效
申请号: | 201711364840.6 | 申请日: | 2017-12-18 |
公开(公告)号: | CN108134209B | 公开(公告)日: | 2020-12-01 |
发明(设计)人: | 王岩松 | 申请(专利权)人: | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
主分类号: | H01Q15/00 | 分类号: | H01Q15/00;H01Q1/42 |
代理公司: | 深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316 | 代理人: | 赵勍毅 |
地址: | 130033 吉林省长春*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | 本发明涉及FSS天线罩制作技术领域,具体公开一种环形单元曲面频率选择表面阵列的制作方法。制作方法包括建模后3D打印成型,以及先形成外围开孔阵列,再形成中心贴片阵列等步骤。本发明的制作方法可以在任意复杂外形曲面介质上制作环形单元FSS阵列,如Y环、圆环、方环、十字环等。 | ||
搜索关键词: | 一种 环形 单元 曲面 频率 选择 表面 阵列 制作方法 | ||
【主权项】:
一种环形单元曲面频率选择表面阵列的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括步骤:S1、通过三维建模软件对基底介质壳体、第一掩膜壳体和第二掩膜壳体分别进行三维建模,设置基底介质壳体、第一掩模壳体和第二掩模壳体三者之间的对位靶标,得到基底介质壳体模型、第一掩膜壳体模型和第二掩膜壳体模型;S2、将所述基底介质壳体模型、所述第一掩膜壳体模型和第二掩膜壳体模型分别输入3D打印设备中成型,得到基底介质壳体、第一掩膜壳体和第二掩膜壳体;S3、在所述基底介质壳体外表面涂覆负性光刻胶,将所述第一掩膜壳体附于所述基底介质壳体上,使两层壳体紧密贴合,通过曝光设备进行曝光处理;曝光后,将第一掩膜壳体取下,对基底介质壳体进行显影处理,清洗、干燥;在处理后的基底介质壳体表面制备第一金属膜层,用去胶液去除剩余的负性光刻胶,清洗、干燥,形成外围开孔单元频率选择表面阵列;S4、基底介质壳体外表面涂覆正性光刻胶,将第二掩膜壳体附于基底介质壳体上,使两层壳体紧密贴合,通过曝光设备进行曝光处理;曝光后,将第二掩膜壳体取下,对基底介质壳体进行显影处理,清洗、干燥;在处理后的基底介质壳体表面制备第二金属膜层,用去胶液去除剩余的正性光刻胶,清洗、干燥,形成环形单元频率选择表面阵列。
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