[发明专利]一种产生倍频Ince-Gaussian光束的方法在审

专利信息
申请号: 201711363816.0 申请日: 2017-12-18
公开(公告)号: CN108281882A 公开(公告)日: 2018-07-13
发明(设计)人: 崔国新;王梦莹;唐杰;陆延青 申请(专利权)人: 南京大学
主分类号: H01S3/109 分类号: H01S3/109
代理公司: 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 代理人: 陈建和
地址: 210093 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 一种产生倍频Ince‑Gaussian光束的方法;基于非线性光学计算全息的理论,将IG光束的相位和振幅信息带入全息图的定义式中,用MATLAB编程做出携带有IG光束光场分布的全息图;采用无掩膜光刻的方法,将全息图转移到LN晶体薄膜上,在LN晶体薄膜中制备出全息图的畴结构:用电子束蒸发的方法在LN晶体薄膜表面镀一层金属Cr,剥离后形成极化所需的图案电极;用探针加压的方法实现畴结构的制备;将飞秒激光泵浦到畴结构LN晶体薄膜中,在远场一阶衍射处产生倍频IG光束。该方法同时实现了光束整形和频率转化的过程,具有集成化的优势。
搜索关键词: 晶体薄膜 全息图 畴结构 倍频 制备 电子束蒸发 非线性光学 飞秒激光 光场分布 光束整形 计算全息 图案电极 一阶衍射 振幅信息 极化 表面镀 集成化 泵浦 光刻 式中 探针 掩膜 远场 编程 加压 剥离 金属 携带 转化
【主权项】:
1.一种产生倍频Ince‑Gaussian光束的方法,其特征是基于非线性光学计算全息的理论,将IG光束的相位和振幅信息带入全息图的定义式中,用MATLAB编程做出携带有IG光束光场分布的全息图;采用无掩膜光刻的方法,将全息图转移到LN晶体薄膜上,在LN晶体薄膜中制备出全息图的畴结构:用电子束蒸发的方法在LN晶体薄膜表面镀一层金属Cr,剥离后形成极化所需的图案电极;用探针加压的方法实现畴结构的制备;将飞秒激光泵浦到畴结构LN晶体薄膜中,在远场一阶衍射处产生倍频IG光束。
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