[发明专利]基于杂化LKMC和OKMC模拟纳米结构核材料辐照损伤的方法

摘要

本发明公开了一种基于杂化LKMC和OKMC模拟纳米结构核材料辐照损伤的方法，包括以下步骤：建立OKMC区域事件速率表格；对于给定的界面，确定LKMC区域半径；建立LKMC格点与缺陷态之间的映射；建立LKMC区域不同缺陷态之间跃迁速率表格；扩大计算模型内速率表格；建立OKMC与LKMC过渡区域速率表格并进行速率处理；建立LKMC区域缺陷团簇事件速率表格并进行速率处理；对于不同区域的事件，调用相应的速率，选择、执行事件。本发明通过杂化LKMC和OKMC方法，对晶界不同区域采用对缺陷性质具有不同分辨率的计算方法，能够实现复杂界面结构处缺陷行为准确模拟，同现有的模拟方法相比，兼顾了模拟精度和模拟的时间、空间尺度，降低了粗粒化建模缺陷‑晶界作用时提取作用参数的难度。

主权项

1.基于杂化LKMC和OKMC模拟纳米结构核材料辐照损伤的方法，其特征在于：包括以下步骤S1、建立OKMC区域事件速率表格，从缺陷信息数据库中加载块体区域空位、自间隙及其团簇扩散、聚集、复合能垒，以及缺陷对象作用半径数据，根据缺陷类型和其发生的相关事件过程，计算指定温度下对应的原子过程速率；S2、给定LKMC界面，并确定LKMC区域半径；S3、建立LKMC格点与缺陷态之间的映射；S4、建立LKMC区域不同缺陷态之间跃迁速率表格；S5、扩大计算模型内速率表格；S6、建立OKMC与LKMC过渡区域速率表格并进行速率处理；S7、建立LKMC区域缺陷团簇事件速率表格并进行速率处理；S8、对于OKMC与LKMC内不同区域的事件，调用相应的速率，选择、执行事件。