[发明专利]一种低电压双边放大的灵敏放大器电路有效
| 申请号： | 201711346678.5 | 申请日： | 2017-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN108282153B | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 冯国友;王楠;王璐 | 申请（专利权）人： | 普冉半导体（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/00 | 分类号： | H03F3/00;H03K17/687 |
| 代理公司： | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人： | 贾慧琴 |
| 地址： | 200000 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种低电压双边放大的灵敏放大器电路，该电路包含存储电路、主灵敏放大电路和预充电电路；存储电路其设有存储阵列；主灵敏放大电路检测与其连接的存储阵列的存储单元；主灵敏放大电路设有若干个PMOS晶体管和若干个NMOS晶体管；PMOS晶体管为自偏置连接，使PMOS晶体管和NMOS晶体管在预充电结束后处于饱和区；预充电电路将与其连接的主灵敏放大电路预充电到使该灵敏放大器电路平衡的电压点。本发明的灵敏放大器电路，不管读有电流存储单元还是无电流存储单元，都处于放大区域，可以使灵敏放大器电路的输出压差裕量都足够大，并且有较快的响应速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电压 双边 放大 灵敏 放大器 电路 | ||
【主权项】：
1.一种低电压双边放大的灵敏放大器电路，其特征在于，其包含：存储电路，其设有存储阵列；主灵敏放大电路，其检测与其连接的所述存储阵列的存储单元；所述主灵敏放大电路设有若干个PMOS晶体管和若干个NMOS晶体管；所述PMOS晶体管设为自偏置连接，使所述PMOS晶体管和所述NMOS晶体管在预充电结束后均处于饱和区；预充电电路，其将与其连接的所述主灵敏放大电路预充电到使该灵敏放大器电路平衡的电压点。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于普冉半导体（上海）股份有限公司，未经普冉半导体（上海）股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711346678.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：光伏组件功率测试装置
- 下一篇：一种毫米波信号源的中频模块
