[发明专利]一种用于高掺杂硅单晶生长的气体导引装置在审
| 申请号： | 201711316594.7 | 申请日： | 2017-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN109898133A | 公开（公告）日： | 2019-06-18 |
| 发明（设计）人： | 方峰;王学锋;邓德辉;李超 | 申请（专利权）人： | 有研半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 刘秀青 |
| 地址： | 101300 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种用于高掺杂硅单晶生长的气体导引装置，该气体导引装置具有锥形结构，其顶端具有一通孔，该通孔直径为籽晶夹持器外径的1.05‑1.15倍；其下端直径为目标晶体直径0.9‑1.2倍；该气体导引装置设置在熔体上方，通过被籽晶夹持器穿过通孔而位于籽晶夹持器的周围。采用本发明的气体导引装置，在NECK＞＞BODY阶段即使用较小的氩气流量，也能促使熔体上方的气流改善；较小的氩气流量，能够减少熔体上方气流刷新速度，减少了熔体内掺杂剂流失量，获得高掺杂的硅单晶。 | ||
| 搜索关键词： | 气体导引装置 籽晶夹持器 高掺杂 熔体 硅单晶生长 氩气流量 通孔 目标晶体 锥形结构 掺杂剂 硅单晶 下端 体内 穿过 | ||
【主权项】：
1.一种用于高掺杂硅单晶生长的气体导引装置，其特征在于，该气体导引装置具有锥形结构，其顶端具有一通孔，该通孔直径为籽晶夹持器外径的1.05‑1.15倍；其下端直径为目标晶体直径的0.9‑1.2倍；该气体导引装置设置在熔体上方，通过被籽晶夹持器穿过通孔而位于籽晶夹持器的周围。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于有研半导体材料有限公司，未经有研半导体材料有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711316594.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种新式结构的单晶炉用加热器
- 下一篇：一种直拉单晶炉热场用石墨坩埚
