[发明专利]采用硅锗四硅通孔技术的紧凑型3D接收机架构在审
| 申请号： | 201711307807.X | 申请日： | 2017-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN108233964A | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | C·D·巴林格;M·艾哈迈德;J·康;Y-C·库安;J·C·李;E·A·索韦罗;T·J·塔尔迪 | 申请（专利权）人： | 通用汽车环球科技运作有限责任公司 |
| 主分类号： | H04B1/16 | 分类号： | H04B1/16;H01L27/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 代易宁;安文森 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 设计用于适应各种全球无线电标准的宽带宽无线电系统，更具体地说，涉及一种系统和方法，其包括紧凑型接收机阵列设计，以支持使用硅通孔来增加移动宽带服务的需要，从而将SiGe BiCMOS中的前端模拟功能与CMOS中的后端电路互连。 | ||
| 搜索关键词： | 硅通孔 接收机架构 接收机阵列 无线电标准 无线电系统 后端电路 模拟功能 移动宽带 互连 硅锗 宽带 全球 服务 | ||
【主权项】：
1.一种装置，其包括：‑由硅锗形成的第一半导体层；‑由硅形成的第二半导体层；‑形成在所述第一半导体层上的第一器件；‑形成在所述第二半导体层上的第二器件；以及‑连接所述第一器件和所述第二器件的硅通孔，其中所述硅通孔穿过所述第一半导体层和所述第二半导体层。
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