[发明专利]一种用于高温工况的类超晶格Zn-Sb/Ge-Sb纳米相变存储薄膜及其制备方法

摘要

一种用于高温工况的类超晶格Zn‑Sb/Ge‑Sb纳米相变存储薄膜，其特征在于，其结构通式为[ZnxSb100‑x(a)/GeySb100‑y(b)]n，其中x和y表示原子百分比，且10x75，2y45，a和b分别表示单个周期中ZnxSb100‑x薄膜和GeySb100‑y薄膜的厚度，且1nma25nm，1nmb25nm，n为类超晶格结构相变薄膜的总周期数，且1n25。本发明制备的类超晶格相变薄膜的结晶温度、析晶活化能、数据保持力均高于Ge2Sb2Te5相变材料，具有优秀的可调的热稳定性。同时，具有纳秒级的相变速度，相变过程中体积收缩率较小，有利于相变薄膜与上下电极的可靠充分接触，保证相变存储器具有良好的循环寿命。

主权项

1.一种用于高温工况的类超晶格Zn‑Sb/Ge‑Sb纳米相变存储薄膜，其特征在于，其结构通式为[Zn_xSb_100‑x(a)/Ge_ySb_100‑y(b)]_n，其中x和y表示原子百分比，且10<x<75，2<y<45，a和b分别表示单个周期中Zn_xSb_100‑x薄膜和Ge_ySb_100‑y薄膜的厚度，且1nm<a<25nm,1nm<b<25nm，n为类超晶格结构相变薄膜的总周期数，且1<n<25。