[发明专利]一种非侵袭性脑深部定向刺激控制系统及方法在审
| 申请号： | 201711279787.X | 申请日： | 2017-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN107913463A | 公开（公告）日： | 2018-04-17 |
| 发明（设计）人： | 何任红 | 申请（专利权）人： | 何任红 |
| 主分类号： | A61N1/36 | 分类号： | A61N1/36;A61N1/04;G16H20/00 |
| 代理公司： | 北京国坤专利代理事务所(普通合伙)11491 | 代理人： | 赵红霞 |
| 地址： | 510515 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于电刺激治疗技术领域，公开了一种非侵袭性脑深部定向刺激控制系统及方法，在CT或MRI的辅助下计算靶向刺激部位的三维坐标，然后确定两对刺激电极的头皮放置位置；在CT辅助下计算电流传递过程中脑组织的电阻抗，电阻抗计算出两对电极的电流强度；依据兴奋或抑制的目的，确定两对刺激电极的频率差值。第一中频电刺激电极模块、第二中频电刺激电极模块，用于实现的对头部部位的电刺激；计算机，用于计算头部刺激部位的三维坐标、脑组织不同结构的电阻抗，依据电流传递过程中脑组织的电阻抗计算出两对电极的电流强度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 侵袭 性脑深部 定向 刺激 控制系统 方法 | ||
【主权项】：
一种非侵袭性脑深部定向刺激控制方法，其特征在于，所述非侵袭性脑深部定向刺激控制方法包括以下步骤：步骤一，在CT或MRI的辅助下计算靶向刺激部位的三维坐标，确定两对刺激电极的头皮放置位置；步骤二，在CT辅助下计算电流传递过程中的脑组织电阻抗，计算出两对电极的电流强度；依据兴奋或抑制的目的，确定两对刺激电极的频率差值；步骤三，中频电刺激电极放置在已确定的头皮的位置，调节刺激电极的频率和强度，达到刺激的目的。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于何任红，未经何任红许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711279787.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种塔式通信基站
- 下一篇：一种激光注射器装置及其激光注射器针头的制作方法
