[发明专利]一种超低功耗的电压基准电路

摘要

本发明属于电子电路技术领域，具体的说是涉及一种超低功耗的电压基准电路。本发明针对现有带隙基准不能工作在超低工作电压的问题，提出了一种新型的可工作在0.45V的超低功耗电压基准电路。本发明的技术方案是，一种可工作在0.45V的超低压超低功耗电压基准电路，包括偏置电流模块、高、低栅源电压产生模块和电压减法模块。本发明利用电压减法模块输出电压基准，并通过场效应晶体管结构参数的选择，降低电压基准的温度系数。本发明提出的一种可工作在0.45V的超低压超低功耗电压基准电路，可以工作在很低的电源电压下，功耗仅为几个纳瓦，不需要使用任何类型的双极型晶体管，可以采用标准CMOS工艺制成集成电路，这样使得其适用范围和灵活性得到显著改善。

主权项

一种超低功耗的电压基准电路，包括偏置电流模块、高低栅源电压产生模块和电压减法模块，其特征在于：所述偏置电流模块包括第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2和电阻R；所述第一PMOS管MP1的源极接电源，其栅极接第二PMOS管MP2的漏极；第二PMOS管MP2的源极接电源，其栅极与漏极互连；第一NMOS管MN1的栅极和漏极互连，其漏极接第一PMOS管MP1的漏极，第一NMOS管MN1的源极接地；第二NOMS管MN2的漏极接第二PMOS管MP2的漏极，第二NOMS管MN2的栅极接第一PMOS管MP1的漏极，第二NOMS管MN2的源极通过电阻R后接地；其中，第一PMOS管MP1栅极、第二PMOS管MP2栅极和漏极的连接点为偏置电流模块的输出端，输出偏置电压VB1；所述高低栅源电压产生模块包括第三PMOS管MP3、第四PMOS管MP4、低阈值NMOS管MNLV和高阈值NMOS管MNHV；所述第三PMOS管MP3的源极接电源，其栅极接偏置电压VB1；所述第四PMOS管MP4的源极接电源，其栅极接偏置电压VB1；所述低阈值NMOS管MNLV的漏极接第三PMOS管MP3的漏极，低阈值NMOS管MNLV的栅极与漏极互连，其源极接地；所述高阈值NMOS管MNHV的漏极接第四PMOS管MP4的漏极，高阈值NMOS管MNHV的栅极和漏极互连，其源极接地；所述电压减法模块包括第五PMOS管MP5、第三NMOS管MN3、第四NMOS管MN4；所述第五PMOS管MP5的源极接电源，其栅极接偏置电压VB1；所述第三NMOS管MN3的漏极接第五PMOS管MP5的漏极，第三NMOS管MN3的漏极接第四PMOS管MP4的漏极；所述第四NMOS管MN4的漏极接第三NMOS管MN3的源极，第四NMOS管MN4的栅极接第三PMOS管MP3的漏极，第四NMOS管MN4的源极接地；所述第三NMOS管MN3源极与第四NMOS管MN4漏极的连接点为电压基准电路的输出端，输出基准电压VREF。