[发明专利]用于SoC片上系统的单粒子效应测试方法有效
| 申请号： | 201711268879.8 | 申请日： | 2017-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN108226748B | 公开（公告）日： | 2020-01-31 |
| 发明（设计）人： | 刘伟鑫;汪波;李珍 | 申请（专利权）人： | 上海精密计量测试研究所;上海航天信息研究所 |
| 主分类号： | G01R31/28 | 分类号： | G01R31/28;G01R31/00 |
| 代理公司： | 31107 上海航天局专利中心 | 代理人： | 余岢 |
| 地址： | 201109 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于SoC片上系统的单粒子效应测试方法，本发明包括对SoC处理器内部CPU单元、存储器单元、用户定义逻辑单元以及AD和DA、串行接口电路等外设单元单粒子效应的测试，可以对SoC处理器内部不同结构单元的单粒子效应进行有效测试，实现对SoC处理器单粒子效应的全面、合理评估。 | ||
| 搜索关键词： | 单粒子效应 单粒子效应测试 片上系统 串行接口电路 存储器单元 逻辑单元 外设单元 用户定义 有效测试 测试 评估 | ||
【主权项】：
1.一种用于SoC片上系统的单粒子效应测试方法，其特征在于：/n该测试方法使用SoC片上系统的单粒子效应测试系统；所述SoC片上系统的单粒子效应测试系统包括被测SoC片上系统、FPGA、PROM、电源和电流监测单元、PC机、串口，其中，被测SoC片上系统连接电源和电流监测单元以及FPGA，PC机通过串口与FPGA连接，被测SoC片上系统和FPGA分别连接各自对应的PROM；/n被测SoC片上系统内部结构单元包括CPU、SRAM存储器和FLASH存储器以及McBSP多通道缓冲串口、HPI主机接口、I
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