[发明专利]一种应用于升降压电路的电流采样电路及其控制方法

摘要

本发明公开了一种应用于升降压电路的电流采样电路及其控制方法。所述升降压电路包括参考地、第一MOS管(金属氧化物半导体场效应晶体管)、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管和电感器，所述电流采样电路包括第一电流采样电路、第二电流采样电路和电流处理电路，所述第一采样电路用于采样第一MOS管上流过的电流获得第一采样电流，所述第二采样电路用于采样第四MOS管上流过的电流获得第二采样电流，所述电流处理电路根据第一采样电流和第二采样电流产生第三采样电流，其中第三采样电流在一个电路工作周期内的平均值代表升降压电路的输出电流。与现有技术相比，本发明实现了芯片内部的电流采样功能，减少了电源损耗和芯片引脚数，降低了系统的成本。

主权项

一种电源开关电路，包括：参考地，为电流采样电路提供参考地；第一MOS管(金属氧化物半导体场效应晶体管)，具有源极、漏极和门极，所述漏极用于接收电路的输入电压，所述门极用于接收第一门极驱动信号；第二MOS管，具有源极、漏极和门极，所述第二MOS管的漏极耦接于第一MOS管的源极，所述第二MOS管的源极耦接于参考地，所述第二MOS管的门极用于接收第二门极驱动信号；第三MOS管，具有源极、漏极和门极，所述第三MOS管的源极耦接于参考地，所述第三MOS管的门极用于接收第三门极驱动信号；第四MOS管，具有源极、漏极和门极，所述第四MOS管的源极耦接于所述第三MOS管的漏极，所述第四MOS管的漏极用于输出电路的输出电压，所述第四MOS管的门极用于接收第四门极驱动信号；电感器，具有第一端和第二端，所述第一端耦接于所述第一MOS管的源极与所述第二MOS管的漏极的共同端点，所述第二端耦接于所述第三MOS管的漏极与所述第四MOS管的源极的共同端点；电流采样电路，耦接于第一MOS管和第四MOS管，用于采样第一MOS管和第四MOS管上流过的电流，输出代表第一MOS管上流过的电流的第一采样电流和代表第四MOS管上流过的电流的第二采样电流；以及电流处理电路，耦接于电流采样电路，用于接收第一采样电流和第二采样电流，并根据第一采样电流和第二采样电流产生第三采样电流，所述第三采样电流在一个电路工作周期内的平均值代表电路的输出电流。