[发明专利]一种新型的二维晶体表面催化二维有机聚合物生长的方法有效
申请号: | 201711254871.6 | 申请日: | 2017-11-27 |
公开(公告)号: | CN107936261B | 公开(公告)日: | 2020-10-09 |
发明(设计)人: | 苗中正 | 申请(专利权)人: | 盐城师范学院 |
主分类号: | C08G83/00 | 分类号: | C08G83/00;C01G3/05 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 224000 江苏省盐城市希望*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种新型的二维晶体表面催化二维有机聚合物生长的方法。采用固液界面快速制备方法在铜箔基底上直接制备起到模板与催化作用的二维氯化亚铜纳米晶体材料,选用1,3,5‑三溴苯和对苯二胺为单体分子,直接在作为催化剂的二维氯化亚铜纳米晶体表面发生聚合反应,生长二维有机聚合物。本发明所公开的方法利用表面催化反应由特定单体制备二维有机聚合物,拓宽了二维有机聚合反应类型。 | ||
搜索关键词: | 一种 新型 二维 晶体 表面 催化 有机 聚合物 生长 方法 | ||
【主权项】:
一种新型的二维晶体表面催化二维有机聚合物生长的方法,包括如下步骤:(1)采用固液界面快速制备方法在铜箔基底上直接制备起到模板与催化作用的二维氯化亚铜纳米晶体材料,易于挥发的乙醇等作为氯化铜溶液的溶剂,三氯化铁作为调控剂,将氯化铜(含铁离子)溶液涂覆于铜箔表面,控制氯化铜溶液的添加量,置于一定范围的温度下使反应快速发生,生成二维氯化亚铜纳米晶体材料;(2)选用1,3,5‑三溴苯和对苯二胺为单体分子,在一定温度下、一定时间内、一定溶剂中、惰性气体保护下,直接在作为催化剂的二维氯化亚铜纳米晶体表面发生聚合反应,生长二维有机聚合物。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于盐城师范学院,未经盐城师范学院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201711254871.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。