[发明专利]刻蚀腔体部件的检测方法有效

专利信息
申请号: 201711239742.X 申请日: 2017-11-30
公开(公告)号: CN108106975B 公开(公告)日: 2020-04-14
发明(设计)人: 胡伟玲;聂钰节 申请(专利权)人: 上海华力微电子有限公司
主分类号: G01N15/02 分类号: G01N15/02
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 郭四华
地址: 201203 上海市浦东新区*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种刻蚀腔体部件的检测方法,用于对在刻蚀工艺中会和刻蚀腔体内的等离子体直接接触的部件进行检测,包括如下步骤:步骤一、采用第一工艺气体进行第一次等离子体刻蚀作业对部件进行表面刻蚀冲洗处理,去除部件的表面的附着物和氧化物以及部件表面材质;步骤二、采用第二工艺气体进行第二次等离子体刻蚀作业对部件的表面进行刻蚀和氧化处理,对部件表面进行粗糙化和剥离;采用Ar气体对部件表面进行物理性轰击处理;步骤三、步骤一至二重复一次以上直至激发部件的表面材质;之后进行颗粒度检测。本发明能一次性检测出刻蚀腔体的部件是否正常,从而能预防刻蚀腔体的异常部件给晶圆产品带来缺陷源,从而能提高产品良率。
搜索关键词: 刻蚀 部件 检测 方法
【主权项】:
1.一种刻蚀腔体部件的检测方法,其特征在于,用于对在刻蚀工艺中会和刻蚀腔体内的等离子体直接接触的部件进行检测,包括如下步骤:步骤一、采用第一工艺气体进行第一次等离子体刻蚀作业实现对所述刻蚀腔体的部件进行表面刻蚀冲洗处理,所述表面刻蚀冲洗处理去除所述部件的表面的附着物和氧化物以及所述部件表面部分的本体材质;步骤二、采用第二工艺气体进行第二次等离子体刻蚀作业实现对所述部件的表面进行刻蚀和氧化处理并用于对所述部件表面进行粗糙化和剥离;之后,采用Ar气体对所述部件表面进行物理性轰击处理;步骤三、步骤一至二重复一次以上直至激发所述部件的表面材质,当所述部件存在缺陷源时,激发表面材质后的所述部件的缺陷源会显现;之后对所述刻蚀腔体进行颗粒度检测,当检测到的颗粒度正常时,则表明所述部件正常;当检测到的颗粒度异常时,则表明所述部件存在缺陷源。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司,未经上海华力微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201711239742.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top