[发明专利]一种脱硅-浸提两段式生物淋滤赤泥中放射性元素的方法

摘要

本发明公开了一种脱硅‑浸提两段式生物淋滤赤泥中放射性元素的方法，通过浮选法分离出赤泥中的硅酸盐矿物，再将黑曲霉孢子悬液接种于淋滤培养基中培养，过滤得菌丝球和去菌培养液；将硅酸盐矿物加入脱硅培养基中并接种胶质芽孢杆菌活化液进行培养，将菌丝球加入处理后的脱硅培养基进行培养，通过菌丝球的物理接触和菌体代谢产物的有机酸溶方式浸出硅酸盐矿物中的放射性元素至淋滤液中，将浮选法剩余的赤泥残渣加入所得的去菌培养液中，通过有机酸浸方式进一步淋滤赤泥残渣中的放射性元素。本发明对赤泥中放射性元素的浸出效率高、不需投加无机酸、反应条件温和、无污染、成本低廉，同时降低赤泥残渣放射性，实现赤泥资源化和无害化的双重目的。

主权项

1.一种脱硅‑浸提两段式生物淋滤赤泥中放射性元素的方法,其特征在于包括以下步骤：(1)将赤泥与水混合均匀制成浆液，通过浮选法富集并分离出赤泥中包括锆石的硅酸盐矿物，分离后得到包括锆石的硅酸盐矿物和赤泥残渣；(2)将黑曲霉的孢子悬液接种于灭菌后的淋滤培养基中于30～35℃培养72h，培养过程中需在摇床上振荡培养，或在发酵罐中搅拌培养以形成菌丝球；黑曲霉在淋滤培养基中培养完毕后，通过膜过滤法或离心过滤法将菌丝球和去菌培养液分开备用；(3)将步骤(1)中浮选出的包括锆石的硅酸盐矿物投加入已灭菌的脱硅培养基中，并接种胶质芽孢杆菌活化液进行培养，培养条件为在30～35℃震荡或搅拌培养4～5d，得到处理后的脱硅培养基，从而破坏硅酸盐矿物的硅氧晶格结构，使其中的放射性元素易于生物淋滤；(4)将步骤(2)中通过膜过滤法获得的菌丝球投加入步骤(3)处理后的脱硅培养基中进行培养，从而通过菌丝球的物理接触和菌体代谢产生的有机酸溶方式浸出硅酸盐矿物中的放射性元素至淋滤液中；(5)将步骤(1)中浮选法剩余的赤泥残渣投加入步骤(2)中通过膜过滤法获得的去菌培养液中，从而通过有机酸浸方式进一步淋滤赤泥残渣中的放射性元素。