[发明专利]一种碳纳米管管壁结构的补强方法有效
| 申请号： | 201711220581.X | 申请日： | 2017-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN108101025B | 公开（公告）日： | 2020-08-14 |
| 发明（设计）人： | 李炜;樊桢;余立琼;宋永忠;冯志海 | 申请（专利权）人： | 航天材料及工艺研究所;中国运载火箭技术研究院 |
| 主分类号： | C01B32/168 | 分类号： | C01B32/168 |
| 代理公司： | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人： | 徐辉 |
| 地址： | 100076 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种碳纳米管管壁结构的补强方法，将采用化学气相沉积法制备的碳纳米管进行预处理；将预处理后的碳纳米管加热，通入提供补强原子的生长气体和控制反应速率的保护气体，并恒温时间t，得到二次沉积后的碳纳米管；对二次沉积后的碳纳米管进行石墨化处理。该方法通过在传统碳纳米管管壁上沉积一层无定形碳层，再通过后期高温处理工艺，将无定形碳诱导进入原始碳层重排的过程中，最后在目标碳管表面形成均匀可控的高石墨化度的碳层结构，最终从纳米尺度修复、加强碳管管壁结构，为提高碳纳米管复合材料的综合性能提供了重要保障。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 管壁 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种碳纳米管管壁结构的补强方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)将采用化学气相沉积法制备的碳纳米管进行预处理；(2)将预处理后的碳纳米管加热至生长气体的分解温度，通入提供补强原子的生长气体和控制反应速率的保护气体，并恒温时间t，得到二次沉积后的碳纳米管；(3)对二次沉积后的碳纳米管进行石墨化处理。
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