[发明专利]一种纳米尺度多孔硒/碲化物薄膜材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201711219639.9 | 申请日： | 2017-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN109837514B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 邰凯平;乔吉祥;赵洋;靳群;康斯清;姜辛 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/58;C23C14/06 |
| 代理公司： | 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 | 代理人： | 张志伟 |
| 地址： | 110016 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： |
本发明涉及功能薄膜材料领域，具体为一种纳米尺度多孔硒(Se)/碲(Te)化物薄膜材料及其制备方法，该多孔薄膜材料作为微型热电能源器件、微型传感器等方面的应用。该多孔薄膜材料为均匀沉积在金属、半导体或绝缘体光滑基底表面上的硒/碲化物薄膜层，薄膜中含有高密度均匀分布的纳米尺度孔隙，纳米孔隙呈现为规则的几何多面体结构；孔隙表面为亚纳米级粗糙度，且孔隙与薄膜基体间存在晶体学取向关系。利用Se/Te元素低熔点、易扩散和聚集长大的特性，合成纳米尺度多孔结构。在薄膜面外方向，Te(Se)元素含量呈过饱和连续递增分布，通过退火处理方式成功制备纳米孔隙含量和大小分布连续可调控的Bi |
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| 搜索关键词： | 一种 纳米 尺度 多孔 碲化物 薄膜 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种纳米尺度多孔硒/碲化物薄膜材料，其特征在于：该多孔薄膜材料为均匀沉积在金属、半导体或绝缘体光滑基底表面上的硒/碲化物薄膜层，薄膜中含有高密度均匀分布的纳米尺度孔隙，纳米孔隙呈现为规则的几何多面体结构；孔隙表面为亚纳米级粗糙度，且孔隙与薄膜基体间存在晶体学取向关系。
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