[发明专利]基于多箔锥形辐射源产生高场太赫兹短脉冲的装置在审

专利信息
申请号: 201711190212.0 申请日: 2017-11-24
公开(公告)号: CN107910733A 公开(公告)日: 2018-04-13
发明(设计)人: 唐心雨;彭滟;朱亦鸣;刘志佳;肖海成;孙召召;刘可盈;庄松林 申请(专利权)人: 上海理工大学
主分类号: H01S1/02 分类号: H01S1/02
代理公司: 上海申汇专利代理有限公司31001 代理人: 吴宝根,徐颖
地址: 200093 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种基于多箔锥形辐射源产生高场太赫兹短脉冲的装置,采用电子束入射到两个电极片之间的金属箔片上产生渡越辐射进而辐射太赫兹脉冲。通过给电极片施加高压产生电场来提升电子束的运动速度,从而实现增加超短太赫兹脉冲强度的功能。装置只需要简单的光学元件就能进行搭建,装置简单,效果显著,产生的超短脉冲峰值功率可达千兆级。在实际操作的过程中,只需要控制外加电场强度就可以实现灵活调节,操作容易。
搜索关键词: 基于 锥形 辐射源 产生 高场太 赫兹 脉冲 装置
【主权项】:
一种基于多箔锥形辐射源产生高场太赫兹短脉冲的装置,其特征在于,包括电子束发生器、环形电极片、直流高压电源、圆形导电箔片组、圆形电极片、聚焦透镜和热探测器;从电子束发生器输出的短电子束沿直线传播,先穿过环形电极片进入高压电场,然后照射到由多片圆形导电箔片间隙同轴搁置堆叠而成的截锥体上,电子束打在圆形电极片上,电子束在每个金属箔片上辐射出的太赫兹波叠加形成锥型超短太赫兹脉冲,超短太赫兹脉冲绕过圆形电极片被聚焦透镜聚焦到热探测器上,环形电极片和圆形电极片外接直流高压电源,在电极片之间形成高压电场,加快电子束的前进速度。
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