[发明专利]硅晶材检测方法及其检测装置在审

专利信息
申请号: 201711187340.X 申请日: 2017-11-24
公开(公告)号: CN108132234A 公开(公告)日: 2018-06-08
发明(设计)人: 陈宥菘;侯语辰;李立婷 申请(专利权)人: 友达晶材股份有限公司
主分类号: G01N21/64 分类号: G01N21/64;H01L21/66
代理公司: 北京泰吉知识产权代理有限公司 11355 代理人: 张雅军;孙金瑞
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种硅晶材检测方法,包含准备步骤及检测步骤。所述准备步骤是准备检测装置,所述检测装置包括载台、激光光源,及光接收器,将待检测的硅晶材设置于所述载台上。所述检测步骤是将所述激光光源以预定波长沿所述硅晶材的至少一预定路径照射所述硅晶材的表面,使所述硅晶材沿所述预定路径产生多个被所述激光光源激发的光致萤光,所述光接收器可接收所述光致萤光并产生多个对应的光致萤光讯号。以所述激光光源沿所述硅晶材的所述预定路径照射,产生多个光致萤光,并得到多个对应所述预定路径的光致萤光光谱,从而可以用来回推得知所述硅晶材的萤光强度分布,能快速得知所述硅晶材的质量。此外,本发明还提供一种硅晶材检测装置。
搜索关键词: 硅晶 激光光源 检测装置 预定路径 检测 光接收器 照射 强度分布 预定波长 光谱 载台 激发
【主权项】:
一种硅晶材检测方法,包含:准备步骤,及检测步骤;其特征在于:所述准备步骤是准备检测装置,所述检测装置包括载台、激光光源,及光接收器,将待检测的硅晶材设置于所述载台上;及所述检测步骤是将所述激光光源以预定波长沿所述硅晶材的至少一预定路径照射所述硅晶材的表面,使所述硅晶材沿该至少一预定路径产生多个被所述激光光源激发的光致萤光,所述光接收器可接收所述光致萤光并产生多个对应的光致萤光讯号。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于友达晶材股份有限公司,未经友达晶材股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201711187340.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top