[发明专利]纳米多孔氧化铜/氧化铜纳米线复合结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201711158743.1 | 申请日： | 2017-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN107986316A | 公开（公告）日： | 2018-05-04 |
| 发明（设计）人： | 杨卿;楚思清 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学 |
| 主分类号： | C01G3/02 | 分类号： | C01G3/02;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所61214 | 代理人： | 罗笛 |
| 地址： | 710048*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种纳米多孔氧化铜/氧化铜纳米线复合结构，包括基体，基体的孔壁内生长有氧化铜纳米线，基体为纳米多孔氧化铜。本发明还公开纳米多孔氧化铜/氧化铜纳米线复合结构的制备方法，本发明公开的复合结构实现了在纳米多孔氧化铜孔壁低温热氧化生长氧化铜纳米线，具有高孔隙率、大比表面积、高表面活性。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 多孔 氧化铜 复合 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
纳米多孔氧化铜/氧化铜纳米线复合结构，其特征在于：包括基体，基体的孔壁内生长有氧化铜纳米线，基体为纳米多孔氧化铜。
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