[发明专利]反相器有效
申请号: | 201711144531.8 | 申请日: | 2017-11-17 |
公开(公告)号: | CN109698688B | 公开(公告)日: | 2022-11-11 |
发明(设计)人: | 陈智圣;彭天云 | 申请(专利权)人: | 立积电子股份有限公司 |
主分类号: | H03K19/003 | 分类号: | H03K19/003;H03K19/20 |
代理公司: | 上海市锦天城律师事务所 31273 | 代理人: | 刘民选 |
地址: | 中国台湾台北市内湖区*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种反相器,该反相器包含第一系统电压端、第二系统电压端、输出端、复数个P型晶体管、复数个N型晶体管及压降阻抗组件。第一系统电压端接收第一电压,第二系统电压端接收第二电压。复数个P型晶体管彼此串联于第一系统电压端及输出端之间。复数个N型晶体管彼此串联于输出端及第二系统电压端之间。压降阻抗组件与复数个N型晶体管中的一第一N型晶体管相并联,且压降阻抗组件的阻抗小于第一N型晶体管在截止时的阻抗。 | ||
搜索关键词: | 反相器 | ||
【主权项】:
1.一种反相器,其特征在于,该反相器包含:一第一系统电压端,用以接收一第一电压;一第二系统电压端,用以接收一第二电压;一输出端;复数个P型晶体管,彼此串联于该第一系统电压端及该输出端之间;复数个N型晶体管,彼此串联于该输出端及该第二系统电压端之间;及一第一压降阻抗组件,与该些N型晶体管中的一第一N型晶体管相并联;其中:该第一压降阻抗组件的一阻抗小于该第一N型晶体管在截止时的一阻抗。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于立积电子股份有限公司,未经立积电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201711144531.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种磁信号检测时序控制电路及控制方法
- 下一篇:积体电路