[发明专利]一种基于等离子体/介质多层结构的磁控功能可重构器件有效
申请号: | 201711113656.4 | 申请日: | 2017-11-10 |
公开(公告)号: | CN107959123B | 公开(公告)日: | 2021-03-23 |
发明(设计)人: | 章海锋;文永刁;王玲玲 | 申请(专利权)人: | 南京邮电大学 |
主分类号: | H01Q15/14 | 分类号: | H01Q15/14;H01Q15/24;H01P1/36 |
代理公司: | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人: | 武政 |
地址: | 210023 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一款基于等离子体/介质多层结构的磁控功能可重构器件,其结构包括介质层与等离子体层。其中,等离子体层包括激励用电极阵列、背部的电控磁铁(电控磁极)及其内部的惰性气体,用编程控制得到的磁化等离子体与介质层来构成多层结构,并以分形数列为规律迭代构成基于等离子体/介质多层结构。通过可编程控制阵列来控制电磁铁磁场强度的大小就能实现该器件的功能可重构,并可以实现全向反射器、极化分离器和隔离器集于一体。通过改变等离子体激励源两端电压的方式来实现对该器件功能间的切换并易实现对工作频率和带宽的调谐,且有结构紧凑、易实现芯片一体化设计和工作带宽更宽等特点。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 等离子体 介质 多层 结构 功能 可重构 器件 | ||
【主权项】:
一种基于等离子体/介质多层结构的磁控功能可重构器件,其特征在于,包括介质层(1)和等离子体层(2),所述等离子体层(2)采用双端激励的方式获得,其上下各有用于激励产生等离子体的电极阵列(3),构成一组激励电极;其中,每组激励电极的上下电极间充满了惰性气体;每组激励电极分别接一个等离子体激励源(4)进行激励,每个等离子体激励源(4)的通断和电压大小可以通过可编程控制逻辑阵列进行控制,实现对等离子体层(2)的等离子体密度进行调控;所述等离子体层(2)的背面有电控磁铁(5),所述电控磁铁(5)产生的磁场强度的大小也可以通过可编程的逻辑阵列进行控制。
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