[发明专利]拓扑绝缘磁电阻器件有效
| 申请号： | 201711084840.0 | 申请日： | 2017-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN107910439B | 公开（公告）日： | 2019-12-06 |
| 发明（设计）人： | 赵巍胜;周家琦;王子路 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;G11C11/16 |
| 代理公司： | 11232 北京慧泉知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王顺荣;唐爱华<国际申请>=<国际公布> |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及拓扑绝缘磁电阻器件，其中一种核心结构自上而下为“第一铁磁金属层/拓扑绝缘体层/第二铁磁金属层”。第一铁磁金属层作为参考层，第二铁磁金属层作为自由层。当参考层与自由层的磁化方向平行时，磁电阻器件呈现低阻态，存储二进制中的“0”；当参考层与自由层的磁化方向反平行时，磁电阻器件呈现高阻态，存储二进制中的“1”；通过第一铁磁金属层的自旋极化流经由拓扑绝缘体的表面到达第二铁磁金属层，而不通过拓扑绝缘体内部。本发明的拓扑绝缘磁电阻器件，将产生拓扑绝缘磁阻效应，并产生高拓扑绝缘磁阻率，提高磁电阻器件的可靠性，同时降低器件功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 拓扑 绝缘 磁电 器件 | ||
【主权项】：
1.一种拓扑绝缘磁电阻器件，其特征在于：该拓扑绝缘磁电阻器件的核心结构自上而下为“第一铁磁金属层/拓扑绝缘体层/第二铁磁金属层”；第一铁磁金属层作为参考层，第二铁磁金属层作为自由层；当参考层与自由层的磁化方向平行时，磁电阻器件呈现低阻态，存储二进制中的“0”；当参考层与自由层的磁化方向反平行时，磁电阻器件呈现高阻态，存储二进制中的“1”；该结构是通过第一铁磁金属层的自旋极化流经由拓扑绝缘体的表面到达第二铁磁金属层，而不通过拓扑绝缘体内部。/n
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