[发明专利]无带隙基准的自偏置集成振荡器有效
| 申请号： | 201711070169.4 | 申请日： | 2017-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN108123703B | 公开（公告）日： | 2021-02-05 |
| 发明（设计）人： | 杨黎;吴卿乐 | 申请（专利权）人： | 豪威科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K3/353 | 分类号： | H03K3/353 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 宋融冰 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 集成振荡器具有：R‑S触发器；第一电容和第二电容；电流源晶体管；第一电流引导晶体管和第二电流引导晶体管，各自具有耦接至电流源晶体管的源极和分别耦接至第一电容和第二电容的漏极。第一电流引导晶体管具有耦接至R‑S触发器的第一输出的栅极，且第二电流引导晶体管具有耦接至R‑S触发器的第二输出的栅极。振荡器具有第一感测反相器和第二感测反相器，第一感测反相器具有来自第一电容的输入并由适于感测第一电容和第二电容上的电压的反馈电路供电；且第二感测反相器具有来自第二电容的输入并由反馈电路供电。R‑S触发器具有耦接至第一感测反相器的输出的第一输入和耦接至第二感测反相器的输出的第二输入。 | ||
| 搜索关键词： | 无带隙 基准 偏置 集成 振荡器 | ||
【主权项】：
一种集成振荡器，包括：R‑S触发器；第一电容和第二电容；第一电流源晶体管，具有漏极和栅极；第一电流引导晶体管和第二电流引导晶体管，各自具有耦接至所述第一电流源晶体管的漏极的源极，所述第一电流引导晶体管的漏极耦接至所述第一电容，且所述第二电流引导晶体管的漏极耦接至所述第二电容，所述第一电流引导晶体管具有耦接至所述R‑S触发器的第一输出的栅极，且所述第二电流引导晶体管具有耦接至所述R‑S触发器的第二输出的栅极；第一感测反相器，具有耦接至所述第一电容的输入，所述第一感测反相器由适于感测所述第一电容和所述第二电容上的电压的反馈电路供电；以及第二感测反相器，具有耦接至所述第二电容的输入并由所述反馈电路供电；其中所述R‑S触发器具有耦接至所述第一感测反相器的输出的第一输入以及耦接至所述第二感测反相器的输出的第二输入。
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