[发明专利]高衰减值的压控衰减电路在审

专利信息
申请号: 201711010482.9 申请日: 2017-10-26
公开(公告)号: CN107733371A 公开(公告)日: 2018-02-23
发明(设计)人: 陈维刚 申请(专利权)人: 成都西井科技有限公司
主分类号: H03F1/02 分类号: H03F1/02;H03F3/19;H03F3/21;H03F3/24
代理公司: 成都行之专利代理事务所(普通合伙)51220 代理人: 宋辉
地址: 610000 四川*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了高衰减值的压控衰减电路,包括直流电源V1、直流电源V2、电解电容C2、电解电容C3、电解电容C4、电解电容C5、电解电容C6、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4,所述电解电容C2的正极接地,其负极与直流电源V1的正极连接;所述二极管D1的阳极与二极管D3的阳极连接,所述电阻R3一端连接在电解电容C2与直流电源V1连接的线路上,其另一端连接在二极管D1与二极管D3连接的线路上;二极管D1的阴极与二极管D2的阴极连接,所述电阻R4和电阻R5串联。本发明将π型衰减器中的电阻更换为二极管,改进后的π型衰减器为基础实现了降低损耗的目的。
搜索关键词: 衰减 电路
【主权项】:
高衰减值的压控衰减电路,其特征在于,包括直流电源V1、直流电源V2、电解电容C2、电解电容C3、电解电容C4、电解电容C5、电解电容C6、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4,所述电解电容C2的正极接地,其负极与直流电源V1的正极连接;所述二极管D1的阳极与二极管D3的阳极连接,所述电阻R3一端连接在电解电容C2与直流电源V1连接的线路上,其另一端连接在二极管D1与二极管D3连接的线路上;二极管D1的阴极与二极管D2的阴极连接,所述电阻R4和电阻R5串联,所述二极管D2的阳极与电阻R4连接电阻R5端的另一端连接;所述电阻R5连接电阻R4端的另一端连接二极管D4的阳极,所述二极管D4的阴极与二极管D3的阴极连接;所述电解电容C3的阳极连接在二极管D1与二极管D2连接的线路上,其阴极接地;所述电阻R8一端连接在电解电容C3与二极管D1连接的线路上;所述电解电容C4的阳极连接在二极管D3与二极管D4连接的线路上,其阴极接地;所述电阻R7一端连接在电解电容C4与二极管D3连接的线路上;电阻R6一端连接在电阻R4与电阻R5连接的线路上,其另一端与直流电源V2的正极,其负极接地;所述电解电容C6的负极连接在二极管D2与电阻R4连接的线路上,其阳极连接直流电源V2的负极;所述电解电容C5的负极连接在二极管D4与电阻R5连接的线路上,其阳极连接直流电源V2的负极。
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