[发明专利]一种物联网中的高性能静电保护电路在审
申请号: | 201710973626.4 | 申请日: | 2017-10-19 |
公开(公告)号: | CN107732888A | 公开(公告)日: | 2018-02-23 |
发明(设计)人: | 陈磊 | 申请(专利权)人: | 丹阳恒芯电子有限公司 |
主分类号: | H02H9/02 | 分类号: | H02H9/02 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 212300 江苏省镇*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种物联网中的高性能静电保护电路,包括一检测电路,一缓存电路,一泄放电路。所述缓存电路,由两个反相器、一个MOS管,一个电阻和一个电容组成。本发明能在芯片快速上电时,保证静电保护电路处于关闭状态,不影响芯片正常工作,在遇到静电事件时候,可以快速的泄放静电电流,并且通过增加泄放的时间,从而达到更好的抗静电性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 联网 中的 性能 静电 保护 电路 | ||
【主权项】:
一种物联网中的高性能静电保护电路,包括:一检测电路,由第一电阻R1和第一电容C1组成;一缓存电路,由第一反相器INV1,第二反相器INV2,第二电阻R2,第二电容C2和第一NMOS晶体管M1组成;一泄放电路,由第二NMOS晶体管M2组成;其特征在于:所述的检测电路,第一电容C1和第一电阻R1串联后并作为检测电路的输出端,电容C1的另外一端和VDD连接,电阻R1的另外一端和地连接;所述缓存电路,第二电阻R2和第二电容C2并联后一端和VDD连接,另外一端和第一NMOS管M1的漏极、第一反相器INV1的输出端、以及第二反相器INV2的输入端都连接在一起,第一反相器INV1的输入端和检测电路的输出端相连接,第二反相器INV2的输出端、第二NMOS管M2的栅极、第一NMOS管M1的栅极连接在一起,第一NMOS管M1的源极和地连接,第一反相器INV1的电源端和VDD连接,第一反相器INV1的接地端和低连接,第二反相器INV2的电源端和VDD连接,第二反相器INV2的接地端和低连接;所述泄放电路,第二NMOS管M2源极和地连接,M2管的漏极和VDD连接。
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